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Marca Samsung · Modelo MZ-VAP4T0CW · Capacidad - 4TB · Interfaz - PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0 · Tamaño - M.2 (2280) · Rendimiento - Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s · - Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s · - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.200.000 IOPS · - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.600.000 IOPS · Características - Confiabilidad (MTBF): 1,5 millones de horas de fiabilidad (MTBF) · Alimentación · - Consumo de energía promedio (Nivel del sistema): Promedio 9 W Máximo 8,2 W (Modo ráfaga) ·…
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-VAP4T0CW |
| Capacidad | - 4TB |
| Interfaz | - PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0 |
| Tamaño | - M.2 (2280) |
| Rendimiento | - Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s - Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.200.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.600.000 IOPS |
| Características | - Confiabilidad (MTBF): 1,5 millones de horas de fiabilidad (MTBF) Alimentación - Consumo de energía promedio (Nivel del sistema): Promedio 9 W Máximo 8,2 W (Modo ráfaga) - Consumo de energía (en inactivo): Máx. 6,5 mW - Consumo de energía (dispositivo en suspensión): Máx. 5,7 mW - Voltaje admisible: 3,3 V ± 5 % de voltaje admisible Dimensiones y peso - 80,15 x 25 x 8,88 mm - 30,0 g máx |
| Fecha de revisión | 16-04-2025 por RTY |
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